SI2306BDS-T1-GE3 Tranzystor MOSFET 30V 4,0A 1,25W 47mohm @ 4,5V

Producent: Vishay
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Opakowanie/obudowa: SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora: N-kanałowy
Liczba kanałów: 1 kanał
Vds - napięcie przebicia dren-źródło: 30 V
Id - ciągły prąd drenu: 3,16 A
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 47 mOhm
Vgs - napięcie bramka-źródło: -20 V, +20 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 3 V
Qg - ładunek bramki: 3 nC
Minimalna temperatura pracy: -55°C
Maksymalna temperatura pracy: +150°C
Pd - dyssypacja mocy: 750 mW
Tryb kanału: Wzmocnienie
Nazwa handlowa: TrenchFET
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Pakowanie: MouseReel
Znak towarowy: Vishay/Siliconix
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas narastania: 6 ns
Typ produktu: MOSFETy
Czas opadania: 12 ns
Seria: SI2
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 1 N-kanałowy
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 7 ns
Alias numeru części: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Waga jednostkowa: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf