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Casa Prodottitransistor con resistenza di polarizzazione

DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: Diodes Incorporated
Numero di modello: DMN67D8LDW-7
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-363-6
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: MOSFET Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-363-6 Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Serie: DMN67 Tipo di prodotto: MOSFET
Peso unitario: 7.500mg
Evidenziare:

Resistore di polarizzazione smd transistor

,

Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Package/scatola: SOT-363-6
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 2 canali
Vds - Tensione di rottura Drain-source: 60 V
Id - Corrente di drain continua: 230 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 5 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: -30 V, +30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2.5 V
Qg - Carica del gate: 821 pc
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 320 mW
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Tipo di prodotto: MOSFET
Serie: DMN67
Sottocategoria: Transistor
Peso unitario: 7.500 mg

DMN67D8LDW-7.pdf

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