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Aperçu Produitstransistor à résistance de polarisation

DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: Diodes Incorporated
Numéro de modèle: Le numéro de téléphone est le DMN67D8LDW-7.
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-363-6
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Transistor MOSFET Style d'installation: SMD / SMT
Package / boîte: SOT-363-6 Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Série: DMN67 Type de produit: Mosfets
Poids unitaire: 7.500mg
Mettre en évidence:

Résistance de polarisation SMD pour transistor

,

Résistance de polarisation SMT pour transistor

Fabricant: Diodes Incorporated
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/Emballage: SOT-363-6
Polarité du transistor: Canal N
Nombre de canaux: 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source: 60 V
Id - Courant de drain continu: 230 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant: 5 Ohms
Vgs - Tension grille-source: -30 V, +30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source: 2,5 V
Qg - Charge de grille: 821 pc
Température minimale de fonctionnement: -55 °C
Température maximale de fonctionnement: +150 °C
Pd - Dissipation de puissance: 320 mW
Mode de canal: Amélioration
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe sur bande
Conditionnement: MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Type de produit: MOSFET
Série: DMN67
Sous-catégorie: Transistors
Poids unitaire: 7,500 mg

DMN67D8LDW-7.pdf

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