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DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

DMN67D8LDW-7 MOSFET MOSFET BVDSS

Produktdetails:
Herkunftsort: Vereinigte Staaten
Markenname: Diodes Incorporated
Modellnummer: DMN67D8LDW-7
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT SOT-363-6
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: MOSFET Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: SOT-363-6 Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Serie: DMN67 Produkttyp: Mosfets
Stückgewicht: 7.500 mg
Hervorheben:

SMD-Vorwiderstand Transistor

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SMT-Vorwiderstand Transistor

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-363-6
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 2-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 230 mA
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 5 Ohm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 2,5 V
Qg - Gate-Ladung: 821 pC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 320 mW
Kanalmodus: Anreicherung
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Produkttyp: MOSFETs
Serie: DMN67
Unterkategorie: Transistoren
Gewicht pro Einheit: 7,500 mg

DMN67D8LDW-7.pdf

Kontaktdaten
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