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arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W

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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: TI
Certificación: ISO9001
Número de modelo: AO4884
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: request for need
Detalles de empaquetado: 1. La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caj
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC Paquete/caso: 8-SOIC
Montaje del tipo: Soporte superficial Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C
Voltaje - fuente: 40V
Resaltar:

dispositivos de semiconductor discretos 2W

,

dispositivos de semiconductor discretos 40V

,

Semiconductor AO4884

Transistores - soporte superficial 8-SOIC del canal N del arsenal 2 del Mosfet del chip CI AO4884 de los FETs 40V (dual) 10A 2W

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte AO4884 es fabricado por tecnologías del TI y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre AO4884 detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad AO4884 a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W 0

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arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W 2

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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