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Casa ProdutosDispositivos de semicondutor discretos

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W

  • disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: TI
Certificação: ISO9001
Número do modelo: AO4884
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=1pcs
Preço: request for need
Detalhes da embalagem: 1. A fábrica original selou a embalagem com tipos padrão: tubo, bandeja, fita e carretel, caixa, emb
Tempo de entrega: 2-3Days
Termos de pagamento: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Habilidade da fonte: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contato
Descrição de produto detalhada
Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC Pacote/caso: 8-SOIC
Montando o tipo: Montagem de superfície Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C
Tensão - fonte: 40V
Destacar:

dispositivos de semicondutor 2W discretos

,

dispositivos de semicondutor 40V discretos

,

Semicondutor AO4884

Transistor - os FETs IC lascam a montagem de superfície 8-SOIC do N-canal da disposição 2 do Mosfet AO4884 40V (duplo) 10A 2W

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça AO4884 é fabricada por tecnologias do SI e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de AO4884 detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade AO4884 a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET
Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)
40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
10A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W 0

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W 1

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W 2

disposição discreta 2 do Mosfet dos transistor AO4884 dos dispositivos de semicondutor de 40V 10A 2W 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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