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Chip CI electrónico paralelo asincrónico de IC 256Kbit 70 ns 28-SOP de la memoria de AS6C62256A-70SIN SRAM

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Chip CI electrónico paralelo asincrónico de IC 256Kbit 70 ns 28-SOP de la memoria de AS6C62256A-70SIN SRAM
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Alliance Memory, Inc.
Certificación: ISO9001
Número de modelo: AS6C62256A-70SIN
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: request for need
Detalles de empaquetado: Digi-carrete de la cinta y de la cinta del corte del carrete (TR) (CT)
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: IC SRAM 256KBIT PARALELO 28SOP Montaje del tipo: Soporte superficial
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 85°C Paquete/caso: 28-SOIC
Voltaje - fuente: 4,5 V ~ 5,5 V Tamaño de la memoria: 256Kbit
Tecnología: SRAM - Asincrónico Situación del producto: Activo
Número bajo del producto: W971GG8

Chip CI electrónico paralelo asincrónico de IC 256Kbit 70 ns 28-SOP de la memoria de AS6C62256A-70SIN SRAM

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte AS6C62256A-70SIN es fabricado por Alliance Memory, Inc y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre AS6C62256A-70SIN detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad AS6C62256A-70SIN a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

El AS6C62256A es RAM estático manufacturado usando una tecnología de proceso del Cmos con los modos de funcionamiento siguientes: - Lea - recurso seguro - escriben - la retención de los datos el arsenal de la memoria se basa en 6 - la célula del transistor.

El circuito es activado por el borde que cae del E. La dirección y las entradas de control se abren simultáneamente. Según la información de W y de G, las entradas de datos, o las salidas, son activas. En un ciclo leído, las salidas de datos son activadas por el borde que cae de G, la palabra de datos leído estarán luego disponibles en las salidas DQ0-DQ7. Después del cambio de dirección, las salidas de datos van altas-z hasta que la nueva lectura de la información esté disponible.

Las salidas de datos no han preferido el estado. El ciclo leído es acabado por el borde que cae de W, o por el borde de levantamiento de E, respectivamente.

La retención de los datos se garantiza abajo a 2 V. a excepción de E, todas las entradas consisten en NI se requieren las puertas, de modo que ningún levante/los resistores del tirón-abajo.

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Chip CI electrónico paralelo asincrónico de IC 256Kbit 70 ns 28-SOP de la memoria de AS6C62256A-70SIN SRAM 2

Chip CI electrónico paralelo asincrónico de IC 256Kbit 70 ns 28-SOP de la memoria de AS6C62256A-70SIN SRAM 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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