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Aperçu ProduitsPuce électronique d'IC

Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM

Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM

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Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Alliance Memory, Inc.
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: AS6C62256A-70SIN
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: >=1pcs
Prix: request for need
Détails d'emballage: Digi-bobine de bande et de bande de coupe de la bobine (TR) (CT)
Délai de livraison: 2-3Days
Conditions de paiement: LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacité d'approvisionnement: 100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Contact
Description de produit détaillée
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLÈLE 28SOP Montage du type: Bâti extérieur
Température de fonctionnement: -40°C | 85°C Paquet/cas: 28-SOIC
Tension - approvisionnement: 4.5V ~ 5.5V Capacité de la mémoire: 256Kbit
Technologie: SRAM - Asynchrone Statut de produit: Actif
Nombre bas de produit: W971GG8

Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM

DESCRIPTION DE PRODUIT

Le numéro de la pièce AS6C62256A-70SIN est fabriqué par Alliance Memory, Inc et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

Pour plus d'informations sur des spécifications détaillées d'AS6C62256A-70SIN, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité AS6C62256A-70SIN à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

L'AS6C62256A est une MÉMOIRE RAM statique construite utilisant une technologie transformatrice de CMOS avec les modes opérationnels suivants : - Lisez - remplaçant - écrivent - la conservation de données la rangée de mémoire est basée sur des 6 - la cellule de transistor.

Le circuit est activé par le bord en baisse de l'E. L'adresse et les entrées de contrôle s'ouvrent simultanément. Selon l'information de W et de G, les entrées de données, ou les sorties, sont en activité. Dans un cycle lu, les sorties de données sont activées par le bord en baisse de G, après le mot contenant des données lu seront disponibles aux sorties DQ0-DQ7. Après le changement d'adresse, les sorties de données disparaissent hautes-z jusqu'à ce que la nouvelle lecture de l'information soit disponible.

Les sorties de données n'ont pas préféré l'état. Le cycle lu est fini par le bord en baisse de W, ou par le bord de montée d'E, respectivement.

La conservation de données est garantie vers le bas à 2 V. excepté E, toutes les entrées se composent des conditionneurs nor, de sorte qu'aucune résistance cabreuse/déroulante ne soit exigée.

Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM 0

Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM 1

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Puce électronique parallèle asynchrone d'IC 256Kbit 70 NS 28-SOP IC de mémoire d'AS6C62256A-70SIN SRAM 3

Coordonnées
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Personne à contacter: Tom Guo

Téléphone: +8613822899993

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