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Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W

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Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: NXP
Certificación: ISO9001
Número de modelo: PMZ390UNEYL
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=3pcs
Precio: $1.66
Detalles de empaquetado: Rollo de cinta (TR) Cinta de corte (CT)
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: D/A, Western Union, MoneyGram, L/C, T/T, D/P
Capacidad de la fuente: 30000 acres/acres por Day+pcs+2-5days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Paquete/caso: BORRACHÍN
Montaje del tipo: Soporte superficial Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 105°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 voltios Voltaje - fuente: 1,5 V, 4,5 V
Situación del producto: Activo Disipación de energía (máx.): 350 mW (Ta), 5,43 W (Tc)
Alta luz:

Dispositivos de semiconductor discretos PMZ390

,

Dispositivos de semiconductor discretos 30V

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dispositivos discretos del semiconductor 350mW

Transistores discretos del semiconductor PMZ390 - canal N 30 V 900mA (TA) 350mW (TA), BORRACHÍN superficial de los FETs del soporte 5.43W (Tc)

 

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

 

El número de parte PMZ390UNEYL es fabricado por NXP y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

 

Para más información sobre PMZ390UNEYL detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad PMZ390UNEYL a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

 

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo

Soporte superficial

Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

 

Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W 0

Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W 1

Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W 2

Dispositivos de semiconductor discretos del canal N PMZ390 de los FETs 30V 900mA 350mW 5.43W 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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