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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390

  • Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390
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Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: NXP
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: PMZ390UNEYL
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=3pcs
Preis: $1.66
Verpackung Informationen: Rollband (TR) Scherband (CT)
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: D/A, Western Union, MoneyGram, L/C, T/T, D/P
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 30000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+2-5days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Paket/Fall: TRUNKENBOLD
Befestigung der Art: Oberflächenberg Betriebstemperatur: -40°C | 105°C
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V Spannung - Versorgung: 1,5 V, 4,5 V
Produkt-Status: Aktiv Verlustleistung (max.): 350 mW (Ta), 5,43 W (Tc)
Markieren:

Getrennte Halbleiterbauelemente PMZ390

,

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V

,

getrennte Geräte des Halbleiters 350mW

Getrennte Transistoren des Halbleiter-PMZ390 - FETs-N-Kanal 30 V 900mA (Ta) 350mW (Ta), Oberflächenberg 5.43W (Tc) TRUNKENBOLD

 

PRODUKT-BESCHREIBUNG

 

Teilnummer PMZ390UNEYL wird durch NXP hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

 

Zu mehr Information über PMZ390UNEYL Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität PMZ390UNEYL Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

 

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft
Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
40V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
10A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2.7V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1950pF @ 20V
Macht- maximales
2W
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art

Oberflächenberg

Paket/Fall
8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
Lieferanten-Gerät-Paket
8-SOIC

 

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390 0

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390 1

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390 2

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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