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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado

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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: FAIRCHILD
Certificación: ISO9001
Número de modelo: FDB2614
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: request for need
Detalles de empaquetado: Rollo de cinta (TR) Cinta de corte (CT)
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Contacto
Descripción detallada del producto
De potencia de salida: Estándar Protocolo: Estándar
Voltaje de funcionamiento: 4V Temperatura de funcionamiento: -55 ℃--℃ 150

FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte FDB2614 es fabricado por FAIRCHILD y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre FDB2614 detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad FDB2614 a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
200 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
62A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
7230 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
² PAK (TO-263) DE D
Paquete/caso
TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Número bajo del producto
FDB261

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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