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FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

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FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片
商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: FAIRCHILD
証明: ISO9001
モデル番号: FDB2614
お支払配送条件:
最小注文数量: >=1pcs
価格: request for need
パッケージの詳細: ロールテープ(TR) シャーバンド(CT)
受渡し時間: 2-3Days
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、
供給の能力: Day+pcs+2-3daysごとの30000のエーカー/エーカー
連絡先
詳細製品概要
出力電力: 標準 プロトコル: 標準
作動の電圧: 4V 実用温度: -55 ℃--150 ℃

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

製品の説明

部品番号FDB2614はフェアチャイルドによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

FDB2614のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量FDB2614を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
200ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
62A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
10V
(最高) @ ID、VgsのRds
27mOhm @ 31A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
99 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±30V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
7230 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
260W (Tc)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
Dの²朴(TO-263)
パッケージ/場合
TO-263-3のDの²朴(2つの鉛+タブ)、TO-263AB
基礎プロダクト数
FDB261

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 0

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 1

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 2

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 3

連絡先の詳細
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

コンタクトパーソン: Tom Guo

電話番号: +8613822899993

私達に直接お問い合わせを送信
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