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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Tecnologia Co. de Shenzhen Hefengxin, Ltd.

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transistor de resistor de polarização

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PI4ULS3V204LEX Nível de Tensão de Conversão Bidirecional 1.1-3.6V
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Transístor de polarização UMC5N Resistor Digital 2 Canais Economia de Espaço
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DDTA115GE Resistor de polarização Transistor Configuração Única PNP Instalação SMD/SMT
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DCX114EH Transistor Digital de Alta Confiabilidade com Resistor de Polarização 100mA
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ADTA114ECAQ-7 Transistor Digital PNP Pré-Polarizado Transistor de Sinal Pequeno
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transistor de resistor de polarização

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FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
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FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
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Fabricante: onsemi Categoria do produto: MOSFET Tecnologia: si Estilo de instalação: SMD/SMT Pacote/caixa: ssot-3 Polaridade do transistor: N-Channel Número de canais: 1 Canal Vds - Tensão de ruptura dreno... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
3SMC110CA TR13 PBFREE diodo de proteção ESD / TVS diodo 3000w 200a bitvs110vrwm1.0ma5.0ua.
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Fabricante: Semicondutor central Categoria de produto: Diodo de proteção ESD/diodo TVS Polaridade: Unidireccional Tipo de produto: Diodos TVS Embalagem: Reel Marca comercial: Semicondutor central Subcategoria: ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
3SMC11A TR13 Diodo de proteção ESD / Diodo TVS PBFREE 3000w 200a unitvs 11vrwm1.0ma5.0ua.
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Fabricante: Central Semiconductor Categoria de produto: Diodo de proteção ESD / Diodo TVS Polaridade: Unidirecional Tipo de produto: Diodos TVS Embalagem: Carretel Marca comercial: Central Semiconductor ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
AH375-PL-B Sensor de efeito Hall para interface de gatilho/sensor magnético SENSOR CMOS LATCHING 2.2V-20V 25MA
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AH375-PL-B Sensor de efeito Hall para interface de gatilho/sensor magnético SENSOR CMOS LATCHING 2.2V-20V 25MA
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Fabricante: Diodes Incorporated Categoria de produto: Sensor de efeito Hall/magnético de interface de placa Tipo: Trava de efeito Hall Corrente de alimentação operacional: 2 mA Corrente máxima de saída: 25 mA ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
AH375-WG-7 Sensor Hall Effect/Magnético LATCH 2.2-20V 25mA CMOS para Interface de Placa
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Fabricante: Diodes Incorporated Categoria de produto: Sensor de efeito Hall/magnético de interface de placa Tipo: Trava de efeito Hall Corrente de alimentação operacional: 2 mA Corrente máxima de saída: 25 mA ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
AH375-WL-7 Sensor de efeito Hall/magnético hall IC snsr CMOS latch 2.2v-20v25ma para interface de gatilho.
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Fabricante: Diodes Incorporated Categoria de produto: Sensor de efeito Hall/magnético de interface de placa Tipo: Trava de efeito Hall Corrente máxima de saída: 25 mA Tensão de alimentação operacional: 20 V ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
AH375-WL-7 Sensor de efeito Hall/magnético hall IC snsr CMOS latch 2.2v-20v25ma para interface de gatilho.
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AH375-WL-7 Sensor de efeito Hall/magnético hall IC snsr CMOS latch 2.2v-20v25ma para interface de gatilho.
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Fabricante: Diodes Incorporated Categoria de produto: Sensor de efeito Hall/magnético de interface de placa Tipo: Trava de efeito Hall Corrente máxima de saída: 25 mA Tensão de alimentação operacional: 20 V ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
Diodo de comutação de sinal pequeno CDSW21-G VR=200V, IF=200mA.
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Diodo de comutação de sinal pequeno CDSW21-G VR=200V, IF=200mA.
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Fabricante: Comchip Technology Categoria de produto: diodo de comutação de sinal pequeno Produto: Diodos de comutação Estilo de instalação: SMD/SMT Pacote/caixa: SOD-123-2 Tensão reversa de pico: 200 V Corrente ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
Diodo de proteção ESD NUP4012PMUTAG / Diodo TVS ARRAY TVS DE BAIXA CAPACITÂNCIA
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Diodo de proteção ESD NUP4012PMUTAG / Diodo TVS ARRAY TVS DE BAIXA CAPACITÂNCIA
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Fabricante: onsemi Categoria de produto: Diodo de proteção ESD / Diodo TVS Polaridade: Unidirecional Número de canais: 4 Canais Tensão de operação: 4 V Tipo de terminação: SMD/SMT Tensão de ruptura: 5.2 V ... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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Fabricante: Infineon Categoria do produto: MOSFET Tecnologia: si Estilo de instalação: SMD/SMT Pacote/caixa: SOT-23-3 Polaridade do transistor: Canal N Número de canais: 1 Canal Vds - tensão de ruptura dreno... Leia mais
2025-11-06 17:57:53
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