NTK3134NT5G MOSFET 20V/6V N CH T1

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	onsemi
Numero di modello:	NTK3134NT5G

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-723-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	raddrizzatore al selenio	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SOT-723-3	Serie:	NTK3134N
Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Tipo di prodotto:	MOSFET
Peso unitario:	1.275mg
Evidenziare:	Diodo Schottky raddrizzatore piccolo , Diodo Schottky raddrizzatore ad alta efficienza

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-723-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 890 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 200 mohm
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 450 mV
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 550 mW
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: onsemi
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 4.8 ns
Transconduttanza diretta - min: 1.6 S
Altezza: 0.5 mm
Lunghezza: 1.2 mm
Prodotto: MOSFET Small Signals
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 4.8 ns
Serie: NTK3134N
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 17.3 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 6.7 ns
Larghezza: 0.8 mm
Peso unitario: 1.275 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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