NTK3134NT5G MOSFET 20V/6V N CH T1

Producent: onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Obudowa/opakowanie: SOT-723-3
Polaryzacja tranzystora: N-kanałowy
Liczba kanałów: 1 kanał
Napięcie przebicia Vds - dren-źródło: 20 V
Id - ciągły prąd drenu: 890 mA
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 200 mΩ
Vgs - napięcie bramka-źródło: -8 V, +8 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 450 mV
Minimalna temperatura pracy: -55 C
Maksymalna temperatura pracy: +150 C
Pd - rozpraszanie mocy: 550 mW
Tryb kanału: Wzmocnienie
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Pakowanie: MouseReel
Znak towarowy: onsemi
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas narastania: 4.8 ns
Transkonduktancja w przód - min.: 1.6 S
Wysokość: 0.5 mm
Długość: 1.2 mm
Produkt: MOSFET Sygnały Małej Mocy
Typ produktu: Tranzystory MOSFET
Czas narastania: 4.8 ns
Seria: NTK3134N
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 1 N-kanałowy
Typ: MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączania: 17.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączania: 6.7 ns
Szerokość: 0.8 mm
Waga jednostkowa: 1.275 mg

NTK3134NT5G.PDF