RJK005N03FRAT146 MOSFET N-канальный 30В Vds 0.5A 0.65 Ом Rds(on) 2Qg

Производитель: ROHM Semiconductor
Категория продукта: MOSFET
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SMT3-3-3
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id - непрерывный ток стока: 500 мА
Rds(on) - сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 400 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: -12 В, +12 В
Vgs(th) - пороговое напряжение затвор-исток: 1.5 В
Qg - заряд затвора: 2 нКл
Минимальная рабочая температура: -55 C
Максимальная рабочая температура: +150 C
Pd - рассеиваемая мощность: 200 мВт
Режим работы канала: Улучшение
Квалификация: AEC-Q101
Упаковка: Катушка
Упаковка: Отрезок ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: ROHM Semiconductor
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 31 нс
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 11 нс
Подкатегория: Транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 16 нс
Типичное время задержки включения: 9 нс
Альтернативное обозначение: RJK005N03FRA
Вес единицы: 48.885 мг

RJK005N03FRA.pdf