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HMC-ALH444 Amplificador de radiofrequência GaAs hemtwb e amplificador de baixo ruído, 1-12 GHz

HMC-ALH444 Amplificador de radiofrequência GaAs hemtwb e amplificador de baixo ruído, 1-12 GHz

HMC-ALH444 Radio frequency amplifier GaAs hemtwb and lonoise amp, 1-12 GHz
HMC-ALH444 Radio frequency amplifier GaAs hemtwb and lonoise amp, 1-12 GHz
Detalhes do produto:
Lugar de origem: Estados Unidos
Marca: Analog Devices Inc.
Número do modelo: HMC-ALH444
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem: SMD/SMT
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Contato Converse agora
Descrição de produto detalhada
Tipo de produto: Detector de radiofrequência Pacote/caixa: MORRER
Encapsulamento: Carretel, fita cortada, MouseReel Estilo de instalação: SMD/SMT
Série: HMC-ALH444G Peso unitário: 3 mg
Destacar:

Pequeno Circuito Integrado CI

,

Circuito Integrado (CI) de Alta Precisão

Fabricante: Analog Devices Inc
Categoria de produto: Amplificador RF
Frequência operacional: 1 GHz a 12 GHz
Tensão de alimentação operacional: 5 V
Corrente de alimentação operacional: 55 mA
Ganho: 17 dB
NF - Figura de ruído: 1,75 dB
Tipo: Amplificadores de Baixo Ruído
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: Die
Tecnologia: GaAs
P1dB - Ponto de compressão: 19 dBm
OIP3 - Ponto de Interceptação de Terceira Ordem: 28 dBm
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +85 C
Série: HMC-ALH444G
Embalagem: gelpack
Marca registrada: Analog Devices
Faixa de frequência: 1 GHz a 12 GHz
Perda de retorno de entrada: 10 dB
Número de canais: 1 canal
Tipo de produto: Amplificador RF
Subcategoria: Circuitos Integrados Wireless & RF
Peso da unidade: 3 mg

Classificações & Revisão

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5.0
Based on 50 reviews for this supplier

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Belize Feb 11.2026
Ajuda (25)
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Albania Oct 17.2025
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Tuvalu Apr 19.2025
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Full range, excellent quality, timely delivery and excellent cooperation experience.
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Chips de IC,

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