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제품 소개전자적 IC 칩

광동 전자적 IC 칩 IDT71V416L12PHI SRAM - 비동시적 메모리용 IC 4Mbit 대비 12 Ns 44-TSOP II

광동 전자적 IC 칩 IDT71V416L12PHI SRAM - 비동시적 메모리용 IC 4Mbit 대비 12 Ns 44-TSOP II

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광동 전자적 IC 칩 IDT71V416L12PHI SRAM - 비동시적 메모리용 IC 4Mbit 대비 12 Ns 44-TSOP II
제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Renesas Electronics America Inc
인증: ISO9001
모델 번호: IDT71V416L12PHI
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=1pcs
가격: request for need
포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)는 테이프 (CT) Digi 릴을 줄입니다
배달 시간: 2-3Days
지불 조건: L/C, T/T, D/A, D/P, 웨스턴 유니온,
공급 능력: Day+pcs+1-2days 당 100000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
기술: IC SRAM 4MBIT 병렬 44TSOP II 증가하는 타입: 표면 부착
작동 온도: -40' C ~ 85' C 패키지 / 건: 44-TSOP
전압 - 공급: 3V ~ 3.6V 메모리 포맷: 스램
메모리 구성: 256K x 16 제품 상태: 활동가
베이스 상품 다수: IDT71V416

광동 전자적 IC 칩 IDT71V416L12PHI SRAM - 비동시적 메모리용 IC 4Mbit 대비 12 Ns 44-TSOP II

제품 설명

부품번호 IDT71V416L12PHI는 르네사스 전자 미국 Inc에 의해 제조되고 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

IDT71V416L12PHI에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 IDT71V416L12PHI를 당신의 메시지에 더합니다. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

IDT71V416은 256K X 16으로서 조직된 고속 스태틱 랜돔 어세스 메모리를 4,194,304개 비트입니다. 그것은 IDT의 높은 실행, 높은 신뢰도를 사용하여 제조됩니다

CMOS 기술. 혁신적 회로 설계 기술에 결합된 이 최신 기술이 고속 메모리 필요에게 비용 효과적 솔루션을 제공합니다.

IDT71V416은 10 나노 초 만큼 빨리 주소 액세스 시간으로, 5 나노 초 작동하는 출력 인에이블 핀을 가지고 있습니다. 모든 양방향성 입력과

IDT71V416의 출력은 LVTTL-적합한과 활동이 한 개의 3.3V 공급에서 왔습니다. 요구하면서, 완전히 정적 비동시적 회로는 사용됩니다

어떤 시계 또는 작동을 위한 새로 고침.

IDT71V416은 44개 핀, 400 밀리리터 플라스틱 SOJ와 44개 핀, 400 밀리리터 티에스오피형 II 패키지와 48개 볼 그리드 어레이, 9 밀리미터 X에서 패키징됩니다

9 밀리미터는 패키징합니다.

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연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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