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Casa Prodottitransistor con resistenza di polarizzazione

NTGS3446T1G MOSFET 20V 5,1A N-Channel

NTGS3446T1G MOSFET 20V 5,1A N-Channel

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: onsemi
Numero di modello: NTGS3455T1G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMTTSOP-6
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: MOSFET Acciaio: P-Manica
Stile di installazione: SMD/SMT Pacchetto/scatola: TSOP-6
Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse Tipo di prodotto: MOSFET
Peso unitario: 20 mg
Evidenziare:

Resistore di polarizzazione smd transistor

,

Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: TSOP-6
Polarità del transistor: canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 30 V
Id - Corrente di drain continua: 3,5 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 100 mohm
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3 V
Qg - Carica del gate: 13 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 2 W
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Bobina
Confezione: Nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: onsemi
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 10 ns
Transconduttanza diretta - minima: 6 S
Altezza: 0,94 mm
Lunghezza: 3 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 15 ns
Serie: NTGS3455
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 canale P
Tipo: MOSFET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 20 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 10 ns
Larghezza: 1,5 mm
Peso unitario: 20 mg

NTGS3455T1G.PDF

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Hefengxin

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