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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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SI3442BDV-T1-GE3 MOSFET 20V 4,2A 1,67W 57mohm @ 4,5V

SI3442BDV-T1-GE3 MOSFET 20V 4,2A 1,67W 57mohm @ 4,5V

SI3442BDV-T1-GE3 MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
SI3442BDV-T1-GE3 MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Produktdetails:
Herkunftsort: Vereinigte Staaten
Markenname: Vishay
Modellnummer: SI3442BDV-T1-GE3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT TSOP-6
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: MOSFET Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: TSOP-6 Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Serie: SI3 Produkttyp: Mosfets
Stückgewicht: 20mg
Hervorheben:

2A Bias-Widerstand Transistor

,

5V Bias-Widerstand Transistor

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: TSOP-6
Markenname: TrenchFET
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verpackung: MouseReel
Marke: Vishay/Siliconix
Produkttyp: MOSFETs
Serie: SI3
Unterkategorie: Transistoren
Teilenummer-Alias: SI3442BDV-GE3
Gewicht: 20 mg

SI3442BDV-T1-GE3.pdf

Größe und Tag:

Transistor-Emitter-Widerstand,

IC-Widerstand-Transistor,

Vorverstärkter Transistor

Kontaktdaten
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Ansprechpartner: Hefengxin

Telefon: +8613652326683

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