شنتشن هيفينغشين للتكنولوجيا المحدودة
 |
| مكان المنشأ: | الولايات المتحدة |
| اسم العلامة التجارية: | onsemi |
| رقم الموديل: | NTGS3441T1G |
| الحد الأدنى لكمية: | 1 |
|---|---|
| الأسعار: | USD 0.01-20/piece |
| تفاصيل التغليف: | سمد/سمت تسوب-6 |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام عمل |
| شروط الدفع: | تي/تي |
| منتج: | موسفيت | القطبية: | قناة ف |
|---|---|---|---|
| نمط التثبيت: | SMD/SMT | حزمة/مربع: | TSOP-6 |
| التغليف: | بكرة، شريط قص، بكرة الماوس | نوع المنتج: | mosfets |
| وزن الوحدة: | 20 مجم | ||
| إبراز: | مقاوم تحيز ترانزستور SMD,مقاوم تحيز ترانزستور SMT,smt bias resistor transistor |
||
الشركة المصنعة: onsemi
فئة المنتج: MOSFET
التقنية: si
أسلوب التركيب: SMD/SMT
العبوة/الصندوق: TSOP-6
قطبية الترانزستور: قناة P
عدد القنوات: قناة واحدة
Vds - جهد الانهيار بين المصدر والمنبع: 12 فولت
Id - تيار التصريف المستمر: 3.3 أمبير
Rds On - مقاومة التشغيل بين المصدر والمنبع: 75 مللي أوم
Vgs - جهد البوابة إلى المصدر: - 8 فولت، +8 فولت
Vgs th - جهد عتبة البوابة إلى المصدر: 1.5 فولت
Qg - شحنة البوابة: 15 نانو كولوم
درجة حرارة التشغيل الدنيا: -55 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل القصوى: +150 درجة مئوية
Pd - تبديد الطاقة: 2 واط
وضع القناة: التحسين
العبوة: بكرة
العبوة: شريط مقطوع
التغليف: MouseReel
العلامة التجارية: onsemi
التكوين: فردي
وقت الهبوط: 100 نانو ثانية
الموصلية الأمامية - الحد الأدنى: 7 S
الارتفاع: 0.94 ملم
الطول: 3 ملم
نوع المنتج: MOSFETs
وقت الارتفاع: 20 نانو ثانية
السلسلة: NTGS3433
الفئة الفرعية: الترانزستورات
نوع الترانزستور: قناة P واحدة
النوع: MOSFET
وقت تأخير الإغلاق النموذجي: 110 نانو ثانية
وقت تأخير التشغيل النموذجي: 20 نانو ثانية
العرض: 1.5 ملم
وزن الوحدة: 20 ملغ
اتصل شخص: Hefengxin
الهاتف :: +8613652326683
