شنتشن هيفينغشين للتكنولوجيا المحدودة
 |
| مكان المنشأ: | الولايات المتحدة |
| اسم العلامة التجارية: | Fairchild |
| رقم الموديل: | FDN340P-NL |
| الحد الأدنى لكمية: | 10 |
|---|---|
| الأسعار: | USD 0.01-20/piece |
| تفاصيل التغليف: | سمد/سمت SSOT-3 |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام عمل |
| شروط الدفع: | تي/تي |
| نمط التثبيت: | SMD/SMT | حزمة/مربع: | إس إس أو تي-3 |
|---|---|---|---|
| التغليف: | بكرة | مسلسل: | FDN340P |
| تكنولوجيا: | سي | وضع القناة: | التعزيز |
| إبراز: | مقاوم تحيز ترانزستور SMD,مقاوم تحيز ترانزستور SMT,smt bias resistor transistor |
||
الشركة المصنعة: فيرتشايلد
فئة المنتج: MOSFET
التقنية: سيليكون (Si)
أسلوب التركيب: SMD/SMT
العبوة/الصندوق: SSOT-3
قطبية الترانزستور: قناة P
عدد القنوات: قناة واحدة
جهد الانهيار Vds - المصدر-المنفذ: 20 فولت
Id - تيار التصريف المستمر: 2 أمبير
Rds On - مقاومة التشغيل المصدر-المنفذ: 70 مللي أوم
Vgs - جهد البوابة-المصدر: -8 فولت، +8 فولت
درجة حرارة التشغيل الدنيا: -55 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل القصوى: +150 درجة مئوية
Pd - تبديد الطاقة: 500 ميلي واط
وضع القناة: تعزيز
العبوة: بكرة
العلامة التجارية: onsemi/Fairchild
التكوين: فردي
وقت الهبوط: 9 نانو ثانية
الارتفاع: 1.12 ملم
الطول: 2.9 ملم
المنتج: إشارات MOSFET الصغيرة
نوع المنتج: MOSFETs
وقت الصعود: 9 نانو ثانية
السلسلة: FDN 340 p
3000
الفئة الفرعية: الترانزستورات
نوع الترانزستور: 1 قناة P
وقت تأخير الإغلاق النموذجي: 27 نانو ثانية
وقت تأخير التشغيل النموذجي: 10 نانو ثانية
العرض: 1.4 ملم
وزن الوحدة: 30 مجم
اتصل شخص: Hefengxin
الهاتف :: +8613652326683
