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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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Inicio Productostransistor de resistencia de polarización

Se aplicará el método de medición de los efectos de la reducción de los riesgos.

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Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: onsemi
Número de modelo: FDC604P
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado: SMD/SMT SSOT-6
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Contacto Ahora Charle
Descripción detallada del producto
Producto: MOSFET Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SSOT-6 Encapsulación: Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto: Mosfets Serie: FDC604P
Peso unitario: magnesio 36
Resaltar:

Resistor de polarización SMD para transistor

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Resistor de polarización SMT para transistor

Fabricante:
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología:
Tipo de instalación: SMD/SMT
Embalaje/caja: ssot-6
Polaridad del transistor: canal p
Número de canales: 1
VdS- tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 20 V.
Id- corriente de drenaje continua: 5.5a.
Rds de la fuente de descarga en la resistencia: 33 mOhms
Vg-puerta-fuente de voltaje: - 8 V + 8 V
Vgs voltaje umbral de la fuente de la puerta: 1,5 v.
Carga de la puerta Qg: 30 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C.
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C.
Pd- disipación de energía: 1,6 W
Modo de canal: Mejoramiento
Nombre de la marca: PowerTrench
Embalaje: carrete
Embalaje: muñeca
Encapsulación: MouseReel
Marca registrada: onsemi/Fairchild
Configuración: único
Tiempo de descenso: 11 ns
Transconductividad hacia adelante mínima: 23 S
Alturas: 1,1 mm
longitud: 2,9 mm
Producto: señales pequeñas MOSFET
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de elevación: 11 ns
Sección: FDC604P
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de cierre: 90 ns
Tiempo de retraso típico de encendido: 13 ns
Ancho: 1,6 mm
El número de parte alias: FDC604P_NL
Peso unitario: 36 mg

FDC604P.pdf

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