Enviar mensaje

LA ELECTRÓNICA CO. DE STJK (HK), LIMITÓ

Calidad primero, reputación primero, servicio primero, clientes primero.

Inicio ProductosChip CI electrónico

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA

  • La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA
  • La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA
  • La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA
  • La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA
La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA
Datos del producto:
Nombre de la marca: Renesas Electronics America Inc
Certificación: ISO9001
Número de modelo: IDT71V3556SA133BQG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: request for need
Detalles de empaquetado: Digi-carrete de la cinta y de la cinta del corte del carrete (TR) (CT)
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: CI SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA Montaje del tipo: Soporte superficial
Temperatura de funcionamiento: 0°C ~ 70°C Paquete/caso: 165-TBGA
Voltaje - fuente: 3.135V ~ 3.465V Tipo: Volátil
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) Situación del producto: Activo
Número bajo del producto: 71V3556

Chip CI electrónico IDT71V3556SA133BQG SRAM - síncrono, memoria IC 4.5Mbit del SDR (ZBT) sea paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte IDT71V3556SA133BQG es fabricado por Renesas Electronics America Inc y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre IDT71V3556SA133BQG detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad IDT71V3556SA133BQG a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA 0

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA 1

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA 2

La memoria síncrona electrónica IC 4.5Mbit del SDR del chip CI IDT71V3556SA133BQG SRAM es paralelo a 133 megaciclos 4,2 Ns 165-CABGA 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

Envíe su pregunta directamente a nosotros
Otros productos