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Lista de distribución original a estrenar de los componentes electrónicos BOM de E1116ACBG-6 E-E Packaging BGA disponible

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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ELPIDA
Certificación: ISO9001
Número de modelo: E1116ACBG-6E-E
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: ¥3.99
Detalles de empaquetado: Rollo de cinta (TR) Cinta de corte (CT)
Tiempo de entrega: 1-2 días
Condiciones de pago: L/C, D/P, T/T, Western Union, , D/A
Capacidad de la fuente: 10000 acres/acre por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto

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DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte E1116ACBG-6E-E es fabricado por ELPIDA y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre E1116ACBG-6E-E detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad E1116ACBG-6E-E a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
380mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
370mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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