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| 원래 장소: | 중국, 광동 |
| 브랜드 이름: | Infineon Technologies |
| 인증: | ISO9001 |
| 모델 번호: | CY14V101NA-BA45XI |
| 최소 주문 수량: | >=5pcs |
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| 가격: | $4.5 |
| 포장 세부 사항: | 원래 공장은 표준식으로 포장되는 것 밀봉했습니다 : 튜브, 트레이, 테이프와 릴, 상자, 포대 포장. |
| 배달 시간: | 0 일 |
| 지불 조건: | 에스크로, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환 |
| 공급 능력: | Day+pcs+2-7days 당 99000 에이커 / 에이커 |
| 기술: | IC NVSRAM 1MBIT 대비 48FBGA | 패키지 / 건: | 48-tfbga |
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| 증가하는 타입: | 표면 부착 | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V | 메모리 용량: | 1Mbit |
| 제품 상태: | 활동가 | 베이스 상품 다수: | CY14V101 |
제품 설명
싸이프레스 CY14V101LA/CY14V101NA는 각각 메모리 셀에서 비휘발성 소자로, 빠른 스태틱 랜돔 어세스 메모리입니다. 기억은 각각 각각 8비트의 128 Ｋ 바이트 또는 16개 비트의 64마리의 Ｋ 말로 구성됩니다. 세계의 가장 믿을 만한 비휘활성 메모리를 생산하면서, 내장된 비휘발성 소자는 퀀텀트랩프 기술을 장려합니다. SRAM이 무한한 읽기와 기입 사이클을 제공하는 반면에, 독립적 비휘발성 데이터는 대단히 믿을 만한 퀀텀트랩프 셀에 거주합니다. SRAM부터 비휘발성 소자 (저장 작업)까지 데이터 전송은 자동적으로 전원을 내림에 일어납니다. 전원공급에, 데이터는 비휘활성 메모리로부터 (리콜 작동을) SRAM으로 회복됩니다. 둘다 스토어와 리콜 작동은 또한 소프트웨어 제어 조건을 이용 가능합니다.
상품 특성
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
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NVSRAM
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기술
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NVSRAM (비휘발성 SRAM)
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메모리 용량
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1Mbit
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메모리구성
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64K Ｘ 16
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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45 나노 초
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엑세스 시간
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45 나노 초
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전압 - 공급
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2.7V ~ 3.6V
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작동 온도
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-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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48-tfbga
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공급자 소자 패키지
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48-에프비지에이 (6x10)
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베이스 상품 다수
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CY14V101
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담당자: Tom Guo
전화 번호: +8613822899993
16-비트는 특정 응용 마이크로컨트롤러 SLB9670VQ20FW785XTMA1을 끼워 넣었습니다
원래 도매업자 전자적 IC 칩 XC7K480T-2FFG1156I 1156-bbga ISO9001
조정할 수 있는 프로그램 가능한 IC 칩 NCP380LMUAJAATBG-NCP380-QFN6 전원 스위치 / 운전자 1시 1분 P-채널
프로그래머블 ic 칩 XC7K410T-2FBG676I - 자일링스 - XC7K410 로직 셀 어레이 가족
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32 비트 하나의 핵 컴퓨터 IC은 48MHz 128KB 순간 48-ufqfpn STM32F0 배포자를 자릅니다
AT91SAM7S256D-AU 컴퓨터 IC은 55MHz 32 비트 256KB 플래시 64-lqfp를 자릅니다
