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Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM

Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM

  • Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM
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Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM
Dettagli:
Luogo di origine: Cina,Guangdong
Marca: Infineon Technologies
Certificazione: ISO9001
Numero di modello: CY14V101NA-BA45XI
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: >=5pcs
Prezzo: $4.5
Imballaggi particolari: La fabbrica originale ha sigillato l'imballaggio con i tipi standard: tubo, vassoio, nastro e bobina
Tempi di consegna: giorni 2-4work
Termini di pagamento: Impegno, L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione: 99000 San Giovanni d'Acri/acri per Day+pcs+2-7days
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Descrizione: PARALLELO 48FBGA DI IC NVSRAM 1MBIT Pacchetto/caso: 48-TFBGA
Montaggio del tipo: Supporto di superficie Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TUM)
Tensione - rifornimento: 2.7V ~ 3.6V Capacità di memoria: 1 MB
Stato del prodotto: Attivo Numero del prodotto di base: CY14V101

Di TPS82130SILR alimentazione il supporto PoL Module non isolato del bordo il convertitore 1 di CC che di CC ha prodotto 0,9 ~ 5V 3A

DESCRIZIONE DI PRODOTTO

Il Cypress CY14V101LA/CY14V101NA è RAM velocemente statico, con un elemento non volatile in ogni cellula di memoria. La memoria è organizzata come 128 byte di 8 bit ciascuno di K o 64 parole di 16 bit ciascuna di K. Gli elementi non volatili inclusi comprendono la tecnologia di QuantumTrap, producendo la memoria non volatile più affidabile del mondo. SRAM fornisce colta infinita e scrive i cicli, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cellula altamente affidabile di QuantumTrap. I trasferimenti di dati da SRAM agli elementi non volatili (l'operazione del DEPOSITO) ha luogo automaticamente a spengono. Su ciclo iniziale, i dati sono ristabiliti a SRAM (l'operazione di RICHIAMO) dalla memoria non volatile. Sia le operazioni di RICHIAMO che del DEPOSITO sono inoltre disponibili sotto controllo del software.

PROPRIETÀ DEL PRODOTTO

Stato del prodotto
Attivo
Tipo di memoria
Non volatile
Formato di memoria
NVSRAM
Tecnologia
NVSRAM (SRAM non volatile)
Capacità di memoria
1Mbit
Organizzazione di memoria
64K x 16
Interfaccia di memoria
Parallelo
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina
45ns
Tempo di Access
45 NS
Tensione - rifornimento
2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TUM)
Montaggio del tipo
Supporto di superficie
Pacchetto/caso
48-TFBGA
Pacchetto del dispositivo del fornitore
48-FBGA (6x10)
Numero del prodotto di base
CY14V101

Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM 0

Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM 1

Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM 2

Memoria non volatile IC 1Mbit 45 paralleli NS 48-FBGA di SRAM 3

Dettagli di contatto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona di contatto: Tom Guo

Telefono: +8613822899993

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