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Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit
Asynchronous Memory Integrated Circuit Sensors CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit Parallel
Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Infineon Technologies
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: CY62128BLL-70SXC
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=3pcs
Preis: $1.86
Verpackung Informationen: Ursprüngliche Fabrik versiegelte Verpackung mit Standardarten: Rohr, Behälter, Band und Spule, Kaste
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 60000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+1-3days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Beschreibung: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Befestigung der Art: Oberflächenberg
Betriebstemperatur: 0°C | 70°C Paket/Fall: 32-SOIC
Spannung - Versorgung: 4,5 V ~ 5,5 V Technologie: SRAM - Asynchron
Speicherkapazität: 1 Mbit Produkt-Status: Aktiv
Niedrige Produkt-Zahl: CY62128
Hervorheben:

Sensoren SRAM der integrierten Schaltung

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Sensoren 1Mbit der integrierten Schaltung

IC-Chip CY62128BLL-70SXC SRAM - asynchrones Gedächtnis IC 1Mbit parallele 70 Ns 32-SOIC der integrierten Schaltung

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Teilnummer CY62128BLL-70SXC wird durch Infineon Technologies hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

Zu mehr Information über CY62128BLL-70SXC Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität CY62128BLL-70SXC Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Gedächtnis-Art
Flüchtig
Gedächtnis-Format
SRAM
Technologie
SRAM - Asynchron
Speicherkapazität
1Mbit
Speicherorganisation
128K x 8
Gedächtnis-Schnittstelle
Parallel
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
70ns
Zugriffzeit
70 ns
Spannung - Versorgung
4.5V | 5.5V
Betriebstemperatur
0°C | 70°C (TA)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Paket/Fall
32-SOIC (0,445", 11.30mm Breite)
Lieferanten-Gerät-Paket
32-SOIC
Niedrige Produkt-Zahl
CY62128

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit 0

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit 1

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit 2

Asynchrone Ähnlichkeit der Gedächtnis-integrierten Schaltung der Sensor-CY62128BLL-70SXC SRAM 1Mbit 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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