SI2323DS-T1-GE3 MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Vishay
Numéro de modèle:	Le nombre de fois où les données sont utilisées est le même.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor MOSFET	Package / boîte:	SOT-23-3
Style d'installation:	SMD / SMT	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	Mosfets	Poids unitaire:	mg 8
Série:	1 canal P
Mettre en évidence:	High Efficiency ESD Protection Diode , fast ESD Protection Diode

Manufacturer: Vishay
Product category: MOSFET
Technology: si
Installation style: SMD/SMT
Package/box: SOT-23-3
Transistor polarity: p-channel
Number of channels: 1 Channel
Vds- drain-source breakdown voltage: 20 V.
Id- continuous drain current: 4.7 a.
Rds On- drain-source on resistance: 39 mOhms
Vgs-gate-source voltage: - 8 V,+8 V
Vgs th- gate-source threshold voltage: 1 V
Qg- gate charge: 12.5nc.
Minimum operating temperature:-55 C.
Maximum operating temperature:+150 C.
Pd- power dissipation: 1.25 W
Channel mode: Enhancement
Trade name: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Encapsulation: MouseReel
Trademark: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Descending time: 48 ns
Height: 1.45 mm
Length: 2.9 mm
Product type: MOSFETs
Rise time: 43 ns
Series: SI2
Subcategory: Transistors
Transistor type: 1 P-Channel
Typical closing delay time: 71 ns
Typical turn-on delay time: 25 ns
Width: 1.6 mm
Part number alias: SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-GE3-ge3
Unit weight: 8 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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