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Aperçu Produitstransistor à résistance de polarisation

DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T et R 3K

DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T et R 3K

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: Diodes Incorporated
Numéro de modèle: Le numéro DMN2058UW-7
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: SOT-23, dentelle
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Vds - tension de claquage drain-source: 20V Type de terminaison: SMD / SMT
Encapsulation: Bobine, ruban coupé, MouseReel Id - courant de drain continu: 3.5A
Mettre en évidence:

Résistance de polarisation 8v transistor

,

Résistance de polarisation SMD pour transistor

Fabricant: Diodes Incorporated
Catégorie de produit: MOSFET
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/Emballage: SOT-323-3
Polarité du transistor: Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source: 20 V
Id - Courant de drain continu: 3,5 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant: 42 mOhms
Vgs - Tension grille-source: -12 V, +12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source: 400 mV
Qg - Charge de grille: 7,7 nC
Température minimale de fonctionnement: -55 °C
Température maximale de fonctionnement: +150 °C
Pd - Dissipation de puissance: 700 uW
Mode de canal: Amélioration
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe sur bande
Conditionnement: MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Configuration: Simple
Temps de descente: 3,3 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4,9 ns
Sous-catégorie: Transistors
Temps de retard de fermeture typique: 9,9 ns
Temps de retard d'activation typique: 2 ns
Poids unitaire: 6 mg

DMN2058UW-7.PDF

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