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Aperçu ProduitsDispositifs de semi-conducteur discrets

Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327

Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327

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Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine, Guangdong, Shenzhen
Nom de marque: Infineon Technologies
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: BSS138W H6327
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: >=20pcs
Prix: $5.5
Détails d'emballage: Digi-bobine de bande et de bande de coupe de la bobine (TR) (CT)
Délai de livraison: 2-5 jours
Conditions de paiement: T/T, Western Union, D/P, D/A, , L/C
Capacité d'approvisionnement: 10000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Contact
Description de produit détaillée
Description: Transistor MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Paquet/cas: SC-70, SOT-323
Montage du type: Bâti extérieur Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - approvisionnement: 4.5V, 10V Type FET: Canal N
Statut de produit: Actif Nombre bas de produit: BSS138

Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327

DESCRIPTION DE PRODUIT

Le numéro de la pièce BSS138W H6327 est l'un des produits que nous nous vendons. Si vous avez besoin de BSS138W H6327 ou ses produits connexes, svp fournissez-nous les spécifications produit, la quantité et les conditions de empaquetage. Il vaudrait mieux d'attacher des images de produit, et nous te ferons une proposition dès que possible.

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
280mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
1.4V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
1,5 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
43 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
PG-SOT323
Paquet/cas
SC-70, SOT-323
Nombre bas de produit
BSS138

Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327 0

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Bâti extérieur discret PG-SOT323 du N-canal 60 V 280mA 500mW des dispositifs de semi-conducteur BSS138W H6327 3

Coordonnées
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Personne à contacter: Tom Guo

Téléphone: +8613822899993

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