logo
Enviar mensaje
Spanish

LA ELECTRÓNICA CO. DE STJK (HK), LIMITÓ

Calidad primero, reputación primero, servicio primero, clientes primero.

Inicio ProductosProtección de circuito IC

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM

  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
  • Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM
Datos del producto:
Lugar de origen: China, Guangdong
Nombre de la marca: Infineon Technologies
Certificación: ISO9001
Número de modelo: CY14V101NA-BA45XI
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=5pcs
Precio: $4.5
Detalles de empaquetado: La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caja,
Tiempo de entrega: días 2-4work
Condiciones de pago: Fideicomiso, L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente: 99000 acres/acres por Day+pcs+2-7days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: PARALELO 48FBGA DE IC NVSRAM 1MBIT Paquete/caso: 48-TFBGA
Montaje del tipo: Soporte superficial Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltaje - fuente: 2.7V ~ 3.6V Tamaño de la memoria: 1 Mbit
Situación del producto: Activo Número bajo del producto: CY14V101

El alimentación de TPS82130SILR fuente el soporte PoL Module sin aislar del tablero que el convertidor 1 de DC DC hizo salir 0,9 ~ 5V 3A

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El Cypress CY14V101LA/CY14V101NA es RAM rápidamente estático, con un elemento permanente en cada célula de memoria. La memoria se organiza como 128 bytes de 8 pedazos cada uno de K o 64 palabras de 16 pedazos cada uno de K. Los elementos permanentes integrados incorporan la tecnología de QuantumTrap, produciendo la memoria permanente más confiable del mundo. SRAM proporciona la lectura infinita y escribe ciclos, mientras que los datos permanentes independientes residen en la célula altamente confiable de QuantumTrap. Las transferencias de datos de SRAM a los elementos permanentes (la operación de la TIENDA) ocurren automáticamente en el poder abajo. En ciclo inicial, los datos se restauran a SRAM (la operación de MEMORIA) de la memoria permanente. Las operaciones de la TIENDA y de MEMORIA están también disponibles bajo control del software.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo de la memoria
Permanente
Formato de la memoria
NVSRAM
Tecnología
NVSRAM (SRAM permanente)
Tamaño de la memoria
1Mbit
Organización de la memoria
64K x 16
Interfaz de la memoria
Paralelo
Escriba la duración de ciclo - palabra, página
45ns
Tiempo de acceso
45 ns
Voltaje - fuente
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
48-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
48-FBGA (6x10)
Número bajo del producto
CY14V101

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM 0

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM 1

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM 2

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

Envíe su pregunta directamente a nosotros
Otros productos