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| 起源の場所: | 中国、広東省 |
| ブランド名: | Infineon Technologies |
| 証明: | ISO9001 |
| モデル番号: | CY14V101NA-BA45XI |
| 最小注文数量: | >=5pcs |
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| 価格: | $4.5 |
| パッケージの詳細: | 元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。 |
| 受渡し時間: | 2-4work幾日 |
| 支払条件: | 条件付捺印証書、L/C、D/A、D/P、T/T |
| 供給の能力: | Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー |
| 記述: | IC NVSRAM 1MBITの平行48FBGA | パッケージ/場合: | 48-TFBGA |
|---|---|---|---|
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | 実用温度: | -40°C | 85°C （TA） |
| 電圧-供給: | 2.7V | 3.6V | 記憶容量: | 1Mビット |
| プロダクト状態: | 活動的 | 基礎プロダクト数: | CY14V101 |
製品の説明
Cypress CY14V101LA/CY14V101NAは各メモリ セルの不揮発性要素との速く静的なRAM、である。記憶は8ビットの128のKバイトそれぞれか16ビットの64のKの単語それぞれとして組織される。埋め込まれた不揮発性要素はQuantumTrapの技術を組み込み、世界の最も信頼できる不揮発性メモリを作り出す。SRAMは独立した不揮発性データはQuantumTrapの信頼性が高い細胞に存在するが、無限読書を提供し、周期を書く。SRAMからの不揮発性要素（店操作）へのデータ転送は力で自動的に起こる。パワーアップで、データは不揮発性メモリからのSRAM （リコール操作）に元通りになる。店およびリコール操作は両方ソフトウェア制御の下でまた利用できる。
プロダクト特性
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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NVSRAM
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技術
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NVSRAM （不揮発性SRAM）
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記憶容量
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1Mbit
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記憶構成
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64K X 16
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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45ns
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アクセス時間
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45 ns
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電圧-供給
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2.7V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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48-TFBGA
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製造者装置パッケージ
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48-FBGA （6x10）
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基礎プロダクト数
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CY14V101
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コンタクトパーソン: Tom Guo
電話番号: +8613822899993
16ビットの埋め込まれたアプリケーション特有のマイクロ制御回路SLB9670VQ20FW785XTMA1
元の卸し業者電子ICの破片XC7K480T-2FFG1156I 1156-BBGA ISO9001
調節可能なプログラム可能なICの破片NCP380LMUAJAATBG-NCP380-QFN6の電源スイッチ/運転者の1:1のP-Channel
プログラム可能なICの破片XC7K410T-2FBG676I - xilinx - XC7K410論理のセル アレイ家族
8ビット16MHz 32KBプログラム可能なICの破片STM8Sのマイクロ制御回路IC 32-LQFP STM8S005K6T6C
32ビット単心コンピュータICは48MHz 128KB抜け目がない48-UFQFPN STM32F0のディストリビューターを欠く
