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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA

Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA

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Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA
Produktdetails:
Herkunftsort: China, Guangzhou
Markenname: Infineon Technologies
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: CY14V101NA-BA45XI
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=5pcs
Preis: $4.5
Verpackung Informationen: Ursprüngliche Fabrik versiegelte Verpackung mit Standardarten: Rohr, Behälter, Band und Spule, Kaste
Lieferzeit: Tage 2-4work
Zahlungsbedingungen: Übertragungsurkunde, L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 99000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+2-7days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Beschreibung: ÄHNLICHKEIT 48FBGA ICS NVSRAM 1MBIT Paket/Fall: 48-TFBGA
Befestigung der Art: Oberflächenberg Betriebstemperatur: -40°C | 85°C (TA)
Spannung - Versorgung: 2.7V | 3.6V Speicherkapazität: 1 Mbit
Produkt-Status: Aktiv Niedrige Produkt-Zahl: CY14V101

TPS82130SILR-Stromversorgung verschalt Berg nichtisolierten PoL Module, DC-DC-, daskonverter 1 0,9 ausgab | 5V 3A

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Die Zypresse CY14V101LA/CY14V101NA ist schnell statisches RAM, mit einem permanenten Element in jeder Speicherzelle. Das Gedächtnis wird als 128 k-Bytes von 8 Bits pro Stück oder 64 k-Wörter von 16 Bits pro Stück organisiert. Die eingebetteten permanenten Elemente enthalten QuantumTrap-Technologie und produzieren den zuverlässigsten Permanentspeicher der Welt. SRAM liefert unbegrenztes Lesen und Schreibzyklen, während unabhängige permanente Daten in der in hohem Grade zuverlässigen QuantumTrap-Zelle liegen. Datenübertragungen von SRAM auf die permanenten Elemente (die SPEICHER-Operation) findet automatisch an der Energie unten statt. Auf Einschalten werden Daten zu SRAM (die RÜCKRUF-Operation) vom Permanentspeicher wiederhergestellt. sind die SPEICHER- und RÜCKRUF-Operationen auch unter Software-Steuerung verfügbar.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Gedächtnis-Art
Permanent
Gedächtnis-Format
NVSRAM
Technologie
NVSRAM (permanentes SRAM)
Speicherkapazität
1Mbit
Speicherorganisation
64K x 16
Gedächtnis-Schnittstelle
Parallel
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
45ns
Zugriffzeit
45 ns
Spannung - Versorgung
2.7V | 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C | 85°C (TA)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Paket/Fall
48-TFBGA
Lieferanten-Gerät-Paket
48-FBGA (6x10)
Niedrige Produkt-Zahl
CY14V101

Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA 0

Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA 1

Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA 2

Permanentes SRAM-Gedächtnis IC 1Mbit parallele 45 ns 48-FBGA 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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