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Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM

  • Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM
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Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine,Guangdong
Nom de marque: Infineon Technologies
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: CY14V101NA-BA45XI
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: >=5pcs
Prix: $4.5
Détails d'emballage: L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo
Délai de livraison: jours 2-4work
Conditions de paiement: Engagement, L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement: 99000 acres/acres par Day+pcs+2-7days
Contact
Description de produit détaillée
Description: PARALLÈLE 48FBGA D'IC NVSRAM 1MBIT Paquet/cas: 48-TFBGA
Montage du type: Bâti extérieur Température de fonctionnement: -40°C | 85°C (VENTRES)
Tension - approvisionnement: 2.7V | 3.6V Capacité de la mémoire: 1Mbit
Statut de produit: Actif Nombre bas de produit: CY14V101

L'énergie de TPS82130SILR alimentation le bâti PoL Module non isolé de conseil que le convertisseur 1 de C.C de C.C a produit 0,9 | 5V 3A

DESCRIPTION DE PRODUIT

Cypress CY14V101LA/CY14V101NA est une MÉMOIRE RAM rapidement statique, avec un élément non-volatile en chaque cellule de mémoire. La mémoire est organisée en tant que 128 octets de 8 bits chacun de K ou 64 mots de 16 bits chacun de K. Les éléments non-volatiles inclus incorporent la technologie de QuantumTrap, produisant la mémoire non-volatile la plus fiable du monde. SRAM fournit la lecture infinie et écrit des cycles, alors que les données non-volatiles indépendantes résident dans la cellule fortement fiable de QuantumTrap. Les transferts des données de SRAM aux éléments non-volatiles (l'opération de MAGASIN) a lieu automatiquement à la puissance vers le bas. Sur la mise sous tension, des données sont reconstituées à SRAM (l'opération de RAPPEL) de la mémoire non-volatile. Les opérations de MAGASIN et de RAPPEL sont également disponibles sous le contrôle de logiciel.

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit
Actif
Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
NVSRAM
Technologie
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Capacité de la mémoire
1Mbit
Organisation de mémoire
64K X 16
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
45ns
Temps d'accès
45 NS
Tension - approvisionnement
2.7V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
48-TFBGA
Paquet de dispositif de fournisseur
48-FBGA (6x10)
Nombre bas de produit
CY14V101

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM 0

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM 1

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM 2

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM 3

Coordonnées
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Personne à contacter: Tom Guo

Téléphone: +8613822899993

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